安森美发布垂直氮化镓半导体
盖世汽车讯 据外媒报道，随着人工智能数据中心、电动汽车和其他高能耗应用领域对能源需求的激增，安森美半导体推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体，大大提高功率密度、效率和耐用性。这些突破性的新一代GaN-on-GaN功率半导体采用垂直导电方式，电流可垂直流经化合物半导体，从而实现更高的工作电压和更快的开关频率，最终实现节能，并为人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源以及航空航天、国防和安全等领域打造更小巧、更轻便的系统。
vGaN技术是一项突破性的功率半导体技术，由安森美半导体位于纽约州锡拉丘兹的晶圆厂研发和制造。
“垂直GaN技术将彻底改变行业格局，并巩固安森美半导体在能效和创新领域的领先地位。随着电气化和人工智能重塑各行各业，效率已成为衡量进步的新标杆。将垂直GaN技术添加到我们的功率产品组合中，为我们的客户提供了实现卓越性能的终极工具包。凭借这项突破，安森美半导体正在定义未来，在这个未来，能效和功率密度将成为竞争的关键。”安森美半导体公司战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示。
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